Справочник MOSFET. FDA8440

 

FDA8440 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDA8440
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 306 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 345 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FDA8440

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDA8440 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:856K  fairchild semi
 fda8440.pdf pdf_icon

FDA8440

March 2008FDA8440tmN-Channel PowerTrench MOSFET40V, 100A, 2.1mFeatures Application RDS(on) = 1.46m (Typ.)@ VGS = 10V, ID = 80A Automotive Engine Control Qg(tot) = 345nC (Typ.)@ VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Motors, Solenoids Low QRR Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Другие MOSFET... FDA33N25 , FDA38N30 , FDA50N50 , FDA59N25 , FDA59N30 , FDA69N25 , FDA70N20 , STU404D , IRF840 , FDB016N04AL7 , FDB024N04AL7 , FDB024N06 , FDB029N06 , FDB031N08 , FDB035AN06A0 , FDB035N10A , STU407D .

History: HFF5N60

 

 
Back to Top

 


 
.