Справочник MOSFET. LR024N

 

LR024N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LR024N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для LR024N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LR024N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:889K  cn vbsemi
 lr024n.pdf pdf_icon

LR024N

LR024Nwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.073 at VGS = 10 V 18.2 Material categorization:60 19.8For definitions of compliance please see0.085 at VGS = 4.5 V 13.2TO-252APPLICATIONSD DC/DC Converters DC/AC Inverters Motor D

 0.1. Size:490K  international rectifier
 auirlr024n auirlu024n.pdf pdf_icon

LR024N

AUIRLR024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Low On-Resistance VDSS 55V Logic-Level Gate Drive RDS(on) max. 0.065 Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature ID 17A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Com

 0.2. Size:308K  international rectifier
 irlr024npbf irlu024npbf.pdf pdf_icon

LR024N

PD- 95081AIRLR024NPbFIRLU024NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate DriveDl Surface Mount (IRLR024N) VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU024N)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.065Gl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 17ASl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techni

 0.3. Size:162K  international rectifier
 irlr024n.pdf pdf_icon

LR024N

PD- 91363EIRLR024NIRLU024NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Surface Mount (IRLR024N) VDSS = 55V Straight Lead (IRLU024N) Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.065G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 17ASDescriptionFifth Generation HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve the lowes

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... K2543 , K2543-FP , K3569 , K3569-FP , K4145 , KD2301 , KD3422A , KD4953 , AO3400 , LR8103V , LU120N , MDD1653RH , MDU2657RH , MDV1595SU , ME20N10 , ME4410 , MEM2301 .

 

 
Back to Top

 


 
.