Справочник MOSFET. ME4410

 

ME4410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для ME4410

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2143K  cn vbsemi
 me4410.pdf pdf_icon

ME4410

ME4410www.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchSO-8

 0.1. Size:2143K  1
 me4410ad.pdf pdf_icon

ME4410

ME4410ADwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchSO

 0.2. Size:667K  1
 me4410a.pdf pdf_icon

ME4410

ME4410A N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)18m@VGS=10V The ME4410A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)20m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored

 0.3. Size:2143K  cn vbsemi
 me4410ad.pdf pdf_icon

ME4410

ME4410ADwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchSO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... KD4953 , LR024N , LR8103V , LU120N , MDD1653RH , MDU2657RH , MDV1595SU , ME20N10 , TK10A60D , MEM2301 , MEM2302 , MI4800 , MMBF0201NLT1G , MMDF3P03HDR , MT2300ACTR , MT4435ACTR , MT4606 .

 

 
Back to Top

 


 
.