NCE0117 - описание и поиск аналогов

 

NCE0117. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE0117

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.127 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для NCE0117

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0117 даташит

 ..1. Size:373K  ncepower
nce0117.pdfpdf_icon

NCE0117

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0117 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

 ..2. Size:833K  cn vbsemi
nce0117.pdfpdf_icon

NCE0117

NCE0117 www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.092 at VGS = 10 V 100 18 COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters TO-220AB D G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXI

 0.1. Size:441K  1
nce0117k.pdfpdf_icon

NCE0117

NCE0117K http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

 0.2. Size:653K  ncepower
nce0117ak.pdfpdf_icon

NCE0117

NCE0117AK http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117AK uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =100V,I =17A DS D R

Другие MOSFET... MT4606 , MT6680 , MTD20N03HDLT4G , MTD20N06HDLT4G , MTD3055EL , MTP60N06HD , MTP8N06 , N3PF06 , 4N60 , NCE3010S , NCE3035G , NCE3080KA , NCE30H10 , NCE30H12K , NCE4503S , NCE4606 , NCE4953 .

History: NCE3010S | AO4423-L | AO4607 | 2SK3575-Z | AO4614 | STD14NM50N | 2N6661-2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.