Справочник MOSFET. NCE3035G

 

NCE3035G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE3035G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для NCE3035G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3035G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  ncepower
nce3035g.pdfpdf_icon

NCE3035G

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3035GNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3035G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)

 ..2. Size:1124K  cn vbsemi
nce3035g.pdfpdf_icon

NCE3035G

NCE3035Gwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 6030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 SN

 7.1. Size:327K  ncepower
nce3035q.pdfpdf_icon

NCE3035G

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3035QNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3035Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)

 8.1. Size:741K  ncepower
nce3030q.pdfpdf_icon

NCE3035G

http://www.ncepower.comNCE3030QNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =30V,I =30ADescription DS DThe NCE3030Q uses advanced trench technology and R

Другие MOSFET... MTD20N03HDLT4G , MTD20N06HDLT4G , MTD3055EL , MTP60N06HD , MTP8N06 , N3PF06 , NCE0117 , NCE3010S , P0903BDG , NCE3080KA , NCE30H10 , NCE30H12K , NCE4503S , NCE4606 , NCE4953 , NCE55P04S , NCE55P05S .

History: WMN80R720S | WMO22N50C4 | SSM9918GJ | WST6402 | SIHG47N60AEF | SUN0765F | NCEP080N10A

 

 
Back to Top

 


 
.