NCE3035G - описание и поиск аналогов

 

NCE3035G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE3035G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 typ Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для NCE3035G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3035G даташит

 ..1. Size:331K  ncepower
nce3035g.pdfpdf_icon

NCE3035G

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3035G NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3035G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)

 ..2. Size:1124K  cn vbsemi
nce3035g.pdfpdf_icon

NCE3035G

NCE3035G www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 60 30 31 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 48 APPLICATIONS OR-ing DFN5X6 Single D D Server D 8 DC/DC D 7 D 6 5 G 1 2 S S 3 S N

 7.1. Size:327K  ncepower
nce3035q.pdfpdf_icon

NCE3035G

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3035Q NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3035Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)

 8.1. Size:741K  ncepower
nce3030q.pdfpdf_icon

NCE3035G

http //www.ncepower.com NCE3030Q NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V =30V,I =30A Description DS D The NCE3030Q uses advanced trench technology and R

Другие MOSFET... MTD20N03HDLT4G , MTD20N06HDLT4G , MTD3055EL , MTP60N06HD , MTP8N06 , N3PF06 , NCE0117 , NCE3010S , IRF1407 , NCE3080KA , NCE30H10 , NCE30H12K , NCE4503S , NCE4606 , NCE4953 , NCE55P04S , NCE55P05S .

History: 2SK1975 | STD3PK50Z | 5NA80 | 30N06G-TF3-T | 2SK3575-S | AGM405AP1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.