NCE3035G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NCE3035G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 typ Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для NCE3035G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NCE3035G даташит
nce3035g.pdf
Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3035G NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3035G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)
nce3035g.pdf
NCE3035G www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 60 30 31 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 48 APPLICATIONS OR-ing DFN5X6 Single D D Server D 8 DC/DC D 7 D 6 5 G 1 2 S S 3 S N
nce3035q.pdf
Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3035Q NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3035Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =35A RDS(ON)
nce3030q.pdf
http //www.ncepower.com NCE3030Q NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V =30V,I =30A Description DS D The NCE3030Q uses advanced trench technology and R
Другие MOSFET... MTD20N03HDLT4G , MTD20N06HDLT4G , MTD3055EL , MTP60N06HD , MTP8N06 , N3PF06 , NCE0117 , NCE3010S , IRF1407 , NCE3080KA , NCE30H10 , NCE30H12K , NCE4503S , NCE4606 , NCE4953 , NCE55P04S , NCE55P05S .
History: 2SK1975 | STD3PK50Z | 5NA80 | 30N06G-TF3-T | 2SK3575-S | AGM405AP1
History: 2SK1975 | STD3PK50Z | 5NA80 | 30N06G-TF3-T | 2SK3575-S | AGM405AP1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307





