NCE30H10 - описание и поиск аналогов

 

NCE30H10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE30H10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для NCE30H10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30H10 даташит

 ..1. Size:373K  ncepower
nce30h10.pdfpdf_icon

NCE30H10

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30H10 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =100A RDS(ON)

 ..2. Size:816K  cn vbsemi
nce30h10.pdfpdf_icon

NCE30H10

NCE30H10 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0035 at VGS = 10 V 98 30 82 nC 0.0045 at VGS = 4.5 V 98 APPLICATIONS OR-ing TO-220AB D Server DC/DC G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABS

 0.1. Size:331K  ncepower
nce30h10g.pdfpdf_icon

NCE30H10

http //www.ncepower.com NCE30H10G NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3065G uses advanced trench technology and design General Features to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be VDS =30V,ID =100A used in a wide variety of applications. RDS(ON)=1.9m (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=2.9m (typical) @ VGS=4.5V Application DC/

 0.2. Size:681K  ncepower
nce30h10bk.pdfpdf_icon

NCE30H10

http //www.ncepower.com NCE30H10BK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H10BK uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =30V,I =100A DS D R

Другие MOSFET... MTD3055EL , MTP60N06HD , MTP8N06 , N3PF06 , NCE0117 , NCE3010S , NCE3035G , NCE3080KA , 10N65 , NCE30H12K , NCE4503S , NCE4606 , NCE4953 , NCE55P04S , NCE55P05S , NCE60P25K , NDS331N-NL .

History: NTD20N06T4 | WMK10N100C2 | 2SK2223-01 | STD30NF06T4 | SI2307A | PHD78NQ03L | 7N80G-TA3-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.