NCE30H10. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NCE30H10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 typ Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для NCE30H10
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NCE30H10 даташит
nce30h10.pdf
Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30H10 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =100A RDS(ON)
nce30h10.pdf
NCE30H10 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0035 at VGS = 10 V 98 30 82 nC 0.0045 at VGS = 4.5 V 98 APPLICATIONS OR-ing TO-220AB D Server DC/DC G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABS
nce30h10g.pdf
http //www.ncepower.com NCE30H10G NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3065G uses advanced trench technology and design General Features to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be VDS =30V,ID =100A used in a wide variety of applications. RDS(ON)=1.9m (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=2.9m (typical) @ VGS=4.5V Application DC/
nce30h10bk.pdf
http //www.ncepower.com NCE30H10BK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H10BK uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =30V,I =100A DS D R
Другие MOSFET... MTD3055EL , MTP60N06HD , MTP8N06 , N3PF06 , NCE0117 , NCE3010S , NCE3035G , NCE3080KA , 10N65 , NCE30H12K , NCE4503S , NCE4606 , NCE4953 , NCE55P04S , NCE55P05S , NCE60P25K , NDS331N-NL .
History: NTD20N06T4 | WMK10N100C2 | 2SK2223-01 | STD30NF06T4 | SI2307A | PHD78NQ03L | 7N80G-TA3-T
History: NTD20N06T4 | WMK10N100C2 | 2SK2223-01 | STD30NF06T4 | SI2307A | PHD78NQ03L | 7N80G-TA3-T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941







