NDS9948-NL - описание и поиск аналогов

 

NDS9948-NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NDS9948-NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для NDS9948-NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDS9948-NL даташит

 ..1. Size:868K  cn vbsemi
nds9948-nl.pdfpdf_icon

NDS9948-NL

NDS9948-NL www.VBsemi.tw Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS Tested RoHS - 60 17 nC COMPLIANT 0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top

 7.1. Size:258K  fairchild semi
nds9948.pdfpdf_icon

NDS9948-NL

January 2010 NDS9948 Dual 60V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of 2.3 A, 60 V RDS(ON) = 250 m @ VGS = 10 V Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench RDS(ON) = 500 m @ VGS = 4.5 V process. It has been optimized for power management applications requiring a wide

 7.2. Size:222K  onsemi
nds9948.pdfpdf_icon

NDS9948-NL

NDS9948 Dual 60V P-Channel PowerTrench MOSFET Features General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of 2.3 A, 60 V RDS(ON) = 250 m @ VGS = 10 V ON Semiconductor s advanced PowerTrench RDS(ON) = 500 m @ VGS = 4.5 V process. It has been optimized for power management Low gate charge (9nC typical) applications requi

 8.1. Size:77K  fairchild semi
nds9945.pdfpdf_icon

NDS9948-NL

May 1998 NDS9945 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect 3.5 A, 60 V. RDS(ON) = 0.100 @ VGS = 10 V, transistors are produced using Fairchild's proprietary, high RDS(ON) = 0.200 @ VGS = 4.5 V. cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... NCE4503S , NCE4606 , NCE4953 , NCE55P04S , NCE55P05S , NCE60P25K , NDS331N-NL , NDS332P-NL , IRFZ24N , NIF5002NT1G , NIF5002NT3G , NT2955G , NTB25P06T4G , NTD12N10-1G , NTD20N06LT4G , NTD2955T4G , NTD2955VT4G .

History: 2SK591 | AOC2403

 

 

 

 

↑ Back to Top
.