NTD5865NL-1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTD5865NL-1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01(typ) Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для NTD5865NL-1G
NTD5865NL-1G Datasheet (PDF)
ntd5865nl-1g.pdf
NTD5865NL-1Gwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 55 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 47TO-251DGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Sy
ntd5865nl.pdf
NTD5865NLN--Channel Power MOSFET60 V, 40 A, 16 mFeatures Low Gate Charge Fast Switchinghttp://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb--Free, Halogen Free and are RoHS Compliant16 m @10VMAXIMUM RATINGS (TJ =25C unless otherwise noted) 60 V 40 A19 m @4.5 VParameter Symbol Value Uni
ntd5865nlt4g.pdf
NTD5865NLT4Gwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Lim
ntd5865n-1g.pdf
NTD5865NN-Channel Power MOSFET60 V, 38 A, 18 mWFeatures Low Gate Charge Fast Switchinghttp://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant60 V 18 mW @ 10 V 38 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDDrain-to-Sou
ntd5865n-d.pdf
NTD5865NN-Channel Power MOSFET60 V, 38 A, 18 mWFeatures Low Gate Charge Fast Switchinghttp://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant60 V 18 mW @ 10 V 38 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDDrain-to-Sou
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918