Справочник MOSFET. NTE4153NT1G

 

NTE4153NT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTE4153NT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27(typ) Ohm
   Тип корпуса: SC75

 Аналог (замена) для NTE4153NT1G

 

 

NTE4153NT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1950K  cn vbsemi
 nte4153nt1g.pdf

NTE4153NT1G NTE4153NT1G

NTE4153NT1Gwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) c Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.270 at VGS = 4.5 V0.7520 1.4 nC0.390 at VGS = 2.5 V0.70APPLICATIONS Smart phones, tablet PCs- DC/DC converters- Boost converters- Load switch, OVP switchSC-75 DG1G3 DS 2Top Vie

 6.1. Size:72K  onsemi
 nta4153n nte4153n nva4153n nve4153n.pdf

NTE4153NT1G NTE4153NT1G

NTA4153N, NTE4153N,NVA4153N, NVE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89http://onsemi.comFeatures Low RDS(on) Improving System EfficiencyV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated0.127 W @ 4.5 V ESD Protected Gate0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mA NV Prefix for Automotive and Other Application

 6.2. Size:68K  onsemi
 nta4153nt1 nta4153n nte4153n.pdf

NTE4153NT1G NTE4153NT1G

NTA4153N, NTE4153NSmall Signal MOSFET20 V, 915 mA, Single N-Channel with ESD Protection, SC-75 and SC-89Featureshttp://onsemi.com Low RDS(on) Improving System Efficiency Low Threshold Voltage, 1.5 V RatedV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX ESD Protected Gate0.127 W @ 4.5 V Pb-Free Packages are Available0.170 W @ 2.5 V20 V 915 mAApplications0.242 W @ 1.8 V

 8.1. Size:70K  onsemi
 nta4151p nte4151p.pdf

NTE4153NT1G NTE4153NT1G

NTA4151P, NTE4151PSmall Signal MOSFET-20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89Featureswww.onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm)V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and

 8.2. Size:66K  onsemi
 nta4151pt1 nta4151p nte4151p.pdf

NTE4153NT1G NTE4153NT1G

NTA4151P, NTE4151PSmall Signal MOSFET-20 V, -760 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75, SC-89Features http://onsemi.com Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SC-75 Standard Gullwing Package0.26 W @ -4.5 V ESD Protected Gate-20 V 0.35 W @ -2.5 V -760 mA Pb-Free Packages are

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTD5806N

 

 
Back to Top