FDB035N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDB035N10A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDB035N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB035N10A даташит

 ..1. Size:562K  fairchild semi
 fdb035n10a.pdf pdf_icon

FDB035N10A

November 2013 FDB035N10A N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 214 A, 3.5 m Features Description RDS(on) = 3.0 m ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 75 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advance PowerTrench process that has Fast Switching Speed been tailored to minimize the on-state resistance while main- taining superior switching performance.

 8.1. Size:236K  fairchild semi
 fdb035an06a0.pdf pdf_icon

FDB035N10A

July 2002 FDB035AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.5m Features Applications rDS(ON) = 3.2m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 95nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low Qrr Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC co

 8.2. Size:281K  fairchild semi
 fdb035an06 f085.pdf pdf_icon

FDB035N10A

January 2012 FDB035AN06A0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.5m Features Applications rDS(ON) = 3.2m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 95nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low Qrr Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) D

 8.3. Size:948K  onsemi
 fdb035an06a0.pdf pdf_icon

FDB035N10A

FDB035AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 80 A, 3.5 m Features Applications RDS(on) = 3.2 m ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 80 A QG(tot) = 95 nC ( Typ.) @ VGS = 10 V Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Battery Protection Circuit Low Miller Charge Motor drives and Uninterruptible Power Supplies Low Qrr Body Diode UIS Capabil

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STU404D, FDA8440, FDB016N04AL7, FDB024N04AL7, FDB024N06, FDB029N06, FDB031N08, FDB035AN06A0, IRF640, STU407D, FDB039N06, FDB045AN08A0, FDB045AN08A0F085, FDB047N10, STU405DH, FDB050AN06A0, FDB060AN08A0