SIR462DP-T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIR462DP-T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 61 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007(typ) Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для SIR462DP-T1
SIR462DP-T1 Datasheet (PDF)
sir462dp-t1.pdf
SIR462DP-T1www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.007 at VGS = 10 V 6030 31 nC0.009 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONS OR-ingDFN5X6 Single DD ServerD 8 DC/DCD 7D 65G12 SS3 S
sir462dp.pdf
SiR462DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.0079 at VGS = 10 V 100 % Rg Tested30a30 8.8 nC 100 % UIS Tested0.010 at VGS = 4.5 V 30aAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 High-Side Switch Server, VRM, POLS6.15
sir466dp.pdf
New ProductSiR466DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0035 at VGS = 10 V 40g 100 % Rg Tested COMPLIANT 30 21.5 nC0.0051 at VGS = 4.5 V 40g 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Converter- Low Side SwitchS D6.
sir460dp.pdf
New ProductSiR460DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET0.0047 at VGS = 10 V 40g 100 % Rg Tested30 16.8 nC0.0061 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Notebook Vcore
sir468dp.pdf
SiR468DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0057 at VGS = 10 V 40 100 % Rg Tested COMPLIANT 30 13.8 nC 100 % UIS Tested0.0076 at VGS = 4.5 V 40APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Low-Side Switch Notebook DC/DCS6.15 mm 5.15 mm
sir464dp.pdf
New ProductSiR464DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0031 at VGS = 10 V 50COMPLIANT 100 % Rg and UIS Tested30 26.5 nC0.0038 at VGS = 4.5 V 50APPLICATIONSPowerPAK SO-8 DC/DC Conversion- Low-Side SwitchS Notebook D
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
