Справочник MOSFET. SPN3414S23RGB

 

SPN3414S23RGB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPN3414S23RGB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
   Время нарастания (tr): 17 ns
   Выходная емкость (Cd): 105 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для SPN3414S23RGB

 

 

SPN3414S23RGB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:919K  cn vbsemi
spn3414s23rgb.pdf

SPN3414S23RGB
SPN3414S23RGB

SPN3414S23RGBwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS D

 9.1. Size:885K  cn vbsemi
spn3400s23rg.pdf

SPN3414S23RGB
SPN3414S23RGB

SPN3400S23RGwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top