SPN3414S23RGB - аналоги и даташиты транзистора

 

SPN3414S23RGB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SPN3414S23RGB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SPN3414S23RGB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN3414S23RGB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:919K  cn vbsemi
 spn3414s23rgb.pdf pdf_icon

SPN3414S23RGB

SPN3414S23RGBwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS D

 9.1. Size:885K  cn vbsemi
 spn3400s23rg.pdf pdf_icon

SPN3414S23RGB

SPN3400S23RGwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23

Другие MOSFET... SM4307PSKPC , SM4927BSKC , SM4953KC , SP8K1TB , SP8M3-TB , SPD09N05 , SPN2054T252RG , SPN2302S23R , AO3401 , SPN4412WS8RG , SPN4436S8R , SPN6561S26RGB , SPP3414S23RG , SPP6506S26R , SPP6507S26RGB , SPP80N03S2L , SQ9407EY-T1 .

History: STB37N60DM2AG | P9006EVA

 

 
Back to Top

 


 
.