Справочник MOSFET. VB1240B

 

VB1240B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VB1240B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 100 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.020(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для VB1240B

 

 

VB1240B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:711K  cn vbsemi
vb1240b.pdf

VB1240B
VB1240B

VB1240Bwww.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) 20 TrenchFET power MOSFETRDS(on) max. () at VGS = 4.5V 0.020 Low on-resistanceRDS(on) max. () at VGS = 2.5V 0.025 100 % Rg testedQg typ. (nC 4.0 Material categorization:ID (A) a, e 7for definitions of compliance please seeConfiguration SingleDSOT-23(3)G 1G

 8.1. Size:1430K  cn vbsemi
vb1240x.pdf

VB1240B
VB1240B

VB1240Xwww.VBsemi.comN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition= 4.5V 8 TrenchFET Gen III Power MOSFETat V0.014 GS 209nC 100 % Rg Tested0.018 7at V = 2.5V GS 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD(SOT-23)G 1G3 D

 8.2. Size:600K  cn vbsemi
vb1240.pdf

VB1240B
VB1240B

VB1240www.VBsemi.comN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.0318 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.0356 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0414 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/D

 9.1. Size:165K  onsemi
nsvb124xpdxv6t1g.pdf

VB1240B
VB1240B

NSBC114EPDXV6T1G,NSVBC114EPDXV6T1G SeriesDual Bias ResistorTransistorsNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Biashttp://onsemi.comResistor NetworkThe BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors areSOT-

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top