VBA1101N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBA1101N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0090(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для VBA1101N
VBA1101N Datasheet (PDF)
vba1101n.pdf

VBA1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0090 at VGS = 10 V 16 Material categorization:100 0.0105 at VGS = 7.5 V 15.2 27.9 nCAPPLICATIONS0.0120 at VGS = 6.0 V 14 DC/DC Primary Side Switch Telecom/ServerD Motor D
vba1101m.pdf

VBA1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () 100 % UIS TestedID (A)d Qg (Typ.)0.124 at VGS = 10 V 4.2100 4.6 nC0.128 at VGS = 4.5 V APPLICATIONS3.9 High Frequency Boost Converter LED Backlight for LCD TVSO-8 DS D1 8S D2 7 DS 3 6 GG D4 5 Top ViewSN-Ch
vba1104n.pdf

VBA1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 6.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses100 23 nC0.047 at VGS = 8 V 5.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONSSO
nsvba114ydxv6t1g.pdf

MUN5114DW1,NSBA114YDXV6,NSBA114YDP6Dual PNP Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 47 kWPIN CONNECTIONSPNP Transistors with Monolithic BiasResistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singleR1 R2device and its external resistor bias network. The Bias ResistorTransistor (BRT) contains a single transistor wit
Другие MOSFET... VB2290A , VB2658 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 , VB9220 , 2N7000 , VBA1203M , VBA1210 , VBA1302 , VBA1303 , VBA1310S , VBA1311 , VBA1405 , VBA1410 .
History: AP4521GEM | SWT38N70K | SM3115NSU | TK10S04K3L | SIR316DP | SWT45N65K2 | SDF130JAA-S
History: AP4521GEM | SWT38N70K | SM3115NSU | TK10S04K3L | SIR316DP | SWT45N65K2 | SDF130JAA-S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645