Справочник MOSFET. VBA2309

 

VBA2309 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA2309
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA2309

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA2309 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  cn vbsemi
vba2309.pdfpdf_icon

VBA2309

VBA2309www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0092 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.0128 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G

 8.1. Size:869K  cn vbsemi
vba2305.pdfpdf_icon

VBA2309

VBA2305www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFETVDS (V) -30RDS(on) max. () at VGS = 10 V 0.0050 Enables higher power densityRDS(on) max. () at VGS = 4.5 V 0.0080 100 % Rg and UIS testedQg typ. (nC) 27ID (A) 18Configuration SingleAPPLICATIONSSO-8 SingleSD Battery management in m

 9.1. Size:388K  cn vbsemi
vba2333.pdfpdf_icon

VBA2309

VBA2333www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop

 9.2. Size:426K  cn vbsemi
vba2311.pdfpdf_icon

VBA2309

VBA2311www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop PCs

Другие MOSFET... VBA1302 , VBA1303 , VBA1310S , VBA1311 , VBA1405 , VBA1410 , VBA2107 , VBA2305 , AON7410 , VBA2317 , VBA2412 , VBA2625 , VBA3102M , VBA3211 , VBA3310 , VBA3316G , VBA3328 .

History: 2SK1601 | 2SK1165 | HY3708M | PE642DT | IPA60R750E6 | GT1003A | AON6918

 

 
Back to Top

 


 
.