2SK2461. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2461

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 2SK2461

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2461 даташит

 ..1. Size:88K  1
2sk2461.pdfpdf_icon

2SK2461

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2461 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2461 is N-Channel MOS Field Effect Transistor de- (in millimeters) signed for high speed switching applications. 10.0 0.3 4.5 0.2 3.2 0.2 FEATURES 2.7 0.2 Low On-Resistance RDS(on)1 = 80 m MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 10 A) RDS(on)2 =

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
2sk2461.pdfpdf_icon

2SK2461

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2461 FEATURES With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 100 V DSS V Gate-S

 8.1. Size:98K  1
2sk2469-01mr.pdfpdf_icon

2SK2461

N-channel MOS-FET 2SK2469-01MR FAP-II Series 300V 1 5A 30W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics > Equival

 8.2. Size:88K  1
2sk2462.pdfpdf_icon

2SK2461

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2462 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION The 2SK2462 is N-Channel MOS Field Effect Transistor de- PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters) signed for high current switching applications. 10.0 0.3 4.5 0.2 3.2 0.2 FEATURES 2.7 0.2 Low On-Resistance RDS(on)1 = 0.14 MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 8.0 A) RDS(on)2

Другие IGBT... 2SK2411, 2SK2412, 2SK2413, 2SK2414, 2SK2415, 2SK2419, 2SK2420, 2SK2421, IRFZ24N, 2SK2462, 2SK2469-01MR, 2SK2470-01MR, 2SK2471-01, 2SK2473-01, 2SK2476, 2SK2477, 2SK2478