Справочник MOSFET. YJB150N06BQ

 

YJB150N06BQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJB150N06BQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для YJB150N06BQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJB150N06BQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  cn yangzhou yangjie elec
 yjb150n06bq.pdf pdf_icon

YJB150N06BQ

RoHS COMPLIANT YJB150N06BQ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I 150A D R ( at V =10V) 5.5mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power MV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R DS(ON)Applications

 8.1. Size:1175K  cn yangzhou yangjie elec
 yjb150g06ak.pdf pdf_icon

YJB150N06BQ

RoHS COMPLIANT YJB150G06AK N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 60V DS I (Silicon limited) 150A D R ( at V =10V) 3.5 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 5.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested ESD Protected up to 2.0KV(HBM) General Description Split Gate Trench MOSFET technology Ex

Другие MOSFET... TSP7N65M , TSF7N65M , TSP7N80M , TSF7N80M , TSP840MR , TSP8N65M , TSF8N65M , YJB150G06AK , K3569 , YJB200G06B , YJD15N10A , YJD18GP10A , YJD20N06A , YJD30N02A , YJD40N04A , YJD45G10A , YJD45P03A .

History: DMN3016LK3 | DMN32D2LFB4

 

 
Back to Top

 


 
.