Справочник MOSFET. YJL2301C

 

YJL2301C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJL2301C
   Маркировка: S1.
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4.3 nC
   Время нарастания (tr): 54 ns
   Выходная емкость (Cd): 89 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.064 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для YJL2301C

 

 

YJL2301C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  cn yangzhou yangjie elec
yjl2301c.pdf

YJL2301C
YJL2301C

RoHS COMPLIANT YJL2301C P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -3.4A D R ( at V =-4.5V) 64 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 80 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and Current handing capability Low Gate Ch

 7.1. Size:618K  cn yangzhou yangjie elec
yjl2301g.pdf

YJL2301C
YJL2301C

RoHS COMPLIANT YJL2301G P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -15V DS I -2.0A D R ( at V =-4.5V) 100 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 130 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 230 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications

 7.2. Size:593K  cn yangzhou yangjie elec
yjl2301d.pdf

YJL2301C
YJL2301C

RoHS COMPLIANT YJL2301D P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -15V DS I -3.8A D R ( at V =-4.5V) 52 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 78 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

 7.3. Size:579K  cn yangzhou yangjie elec
yjl2301f.pdf

YJL2301C
YJL2301C

RoHS COMPLIANT YJL2301F P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -2A D R ( at V =-4.5V) 120 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 150 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top