YJL2301C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJL2301C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 89 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для YJL2301C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL2301C даташит

 ..1. Size:519K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2301c.pdf pdf_icon

YJL2301C

RoHS COMPLIANT YJL2301C P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -3.4A D R ( at V =-4.5V) 64 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 80 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and Current handing capability Low Gate Ch

 7.1. Size:618K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2301g.pdf pdf_icon

YJL2301C

RoHS COMPLIANT YJL2301G P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -15V DS I -2.0A D R ( at V =-4.5V) 100 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 130 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 230 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications

 7.2. Size:593K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2301d.pdf pdf_icon

YJL2301C

RoHS COMPLIANT YJL2301D P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -15V DS I -3.8A D R ( at V =-4.5V) 52 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 78 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

 7.3. Size:579K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2301f.pdf pdf_icon

YJL2301C

RoHS COMPLIANT YJL2301F P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -2A D R ( at V =-4.5V) 120 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 150 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 250 mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... YJL02N10A, YJL03G10A, YJL03N06A, YJL05N06AL, YJL07P03AL, YJL2101W, YJL2102W, YJL2300A, IRF1407, YJL2301D, YJL2301F, YJL2301G, YJL2302A, YJL2302B, YJL2303A, YJL2304A, YJL2305A