YJL2305A - аналоги и даташиты транзистора

 

YJL2305A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: YJL2305A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0364 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для YJL2305A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJL2305A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:650K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2305a.pdf pdf_icon

YJL2305A

RoHS COMPLIANT YJL2305A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -15V DS I -5.6A D R ( at V =-4.5V) 36.4 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 53.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 70.0 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High

 7.1. Size:611K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2305b.pdf pdf_icon

YJL2305A

RoHS COMPLIANT YJL2305B P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -5.4A D R ( at V =-4.5V) 42 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 75 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Density Cell Design for Low R DS(ON) High Speed

 8.1. Size:542K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2304a.pdf pdf_icon

YJL2305A

RoHS COMPLIANT YJL2304A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 3.6A D R ( at V =10V) 39 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 52 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High Power and current handing capability Applications PWM application Load switch Absolute M

 8.2. Size:628K  cn yangzhou yangjie elec
 yjl2303a.pdf pdf_icon

YJL2305A

RoHS COMPLIANT YJL2303A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -3.0A D R ( at V =-10V) 85 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 105 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications PMW applicatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... YJL2301C , YJL2301D , YJL2301F , YJL2301G , YJL2302A , YJL2302B , YJL2303A , YJL2304A , IRF530 , YJL2305B , YJL2312A , YJL2312AL , YJL3134K , YJL3134KW , YJL3139KDW , YJL3139KT , YJL3400A .

History: FTK2306A | IRFHM792TRPBF | ZXM64N03XTC | AP2762R-A-HF

 

 
Back to Top

 


 
.