YJL3404A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: YJL3404A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для YJL3404A
YJL3404A Datasheet (PDF)
yjl3404a.pdf

RoHS COMPLIANT YJL3404A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 29 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 40 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protection
yjl3401a.pdf

RoHS COMPLIANT YJL3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.4A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 96 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed s
yjl3400a.pdf

RoHS COMPLIANT YJL3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 27 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 33 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 51 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switch
yjl3407a.pdf

RoHS COMPLIANT YJL3407A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.1A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protect
Другие MOSFET... YJL2312A , YJL2312AL , YJL3134K , YJL3134KW , YJL3139KDW , YJL3139KT , YJL3400A , YJL3401A , IRFZ46N , YJL3407A , YJL3415A , YJL3416A , YJP150N06AQ , YJP200G06A , YJP70G10A , YJQ20N04A , YJQ30N03A .
History: APT56F50L | SSG4910N | SPC7N65G | JMSH1565AGS | MSF2N60 | VBZM150N03 | SJMN380R60F
History: APT56F50L | SSG4910N | SPC7N65G | JMSH1565AGS | MSF2N60 | VBZM150N03 | SJMN380R60F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527