Справочник MOSFET. YJL3404A

 

YJL3404A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: YJL3404A
   Маркировка: R4.
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.2 nC
   Время нарастания (tr): 2.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 92 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для YJL3404A

 

 

YJL3404A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  cn yangzhou yangjie elec
yjl3404a.pdf

YJL3404A
YJL3404A

RoHS COMPLIANT YJL3404A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 29 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 40 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protection

 8.1. Size:642K  cn yangzhou yangjie elec
yjl3401a.pdf

YJL3404A
YJL3404A

RoHS COMPLIANT YJL3401A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.4A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 96 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed s

 8.2. Size:574K  cn yangzhou yangjie elec
yjl3400a.pdf

YJL3404A
YJL3404A

RoHS COMPLIANT YJL3400A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 5.6A D R ( at V =10V) 27 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 33 mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 51 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for low R DS(ON) High Speed switch

 8.3. Size:706K  cn yangzhou yangjie elec
yjl3407a.pdf

YJL3404A
YJL3404A

RoHS COMPLIANT YJL3407A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -4.1A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications Battery protect

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top