Справочник MOSFET. CSD17585F5

 

CSD17585F5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSD17585F5
   Маркировка: 4U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: FEMTO1.53X0.77
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CSD17585F5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:941K  texas
csd17585f5.pdfpdf_icon

CSD17585F5

Support &Product Order Technical Tools &CommunityFolder Now Documents SoftwareCSD17585F5SLPS610A OCTOBER 2016 REVISED JANUARY 2017CSD17585F5 30-V N-Channel FemtoFET MOSFET.1 Features1 Low-On ResistanceProduct Summary Ultra-Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Ultra-Small FootprintVDS Drain-to-Source Voltage 30 VQg Gate Charge Total (4.5

 7.1. Size:332K  texas
csd17581q5a.pdfpdf_icon

CSD17585F5

Sample & Support &Product Technical Tools &Buy CommunityFolder Documents SoftwareCSD17581Q5ASLPS630 SEPTEMBER 2016CSD17581Q5A 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs1 FeaturesProduct Summary1 Low Qg and QgdTA = 25C TYPICAL VALUE UNIT Low RDS(on)VDS Drain-to-Source Voltage 30 V Low Thermal ResistanceQg Gate Charge Total (4.5 V) 20 nC Avalanche Rate

 8.1. Size:843K  texas
csd17522q5a.pdfpdf_icon

CSD17585F5

CSD17522Q5Awww.ti.com SLPS341A JUNE 2011REVISED AUGUST 201130V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17522Q5A1FEATURESPRODUCT SUMMARY2 Optimized for 5V Gate DriveVDS Drain to Source Voltage 30 V Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 3.6 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.1 nCVGS = 4.5V 10 m Avala

 8.2. Size:863K  texas
csd17510q5a.pdfpdf_icon

CSD17585F5

CSD17510Q5Awww.ti.com SLPS271G JULY 2010 REVISED SEPTEMBER 201230V, N-Channel NexFET Power MOSFETsCheck for Samples: CSD17510Q5APRODUCT SUMMARY1FEATURESVDS Drain to Source Voltage 30 V2 Ultralow Qg and QgdQg Gate Charge Total (4.5V) 6.4 nC Low Thermal ResistanceQgd Gate Charge Gate to Drain 1.9 nC Avalanche RatedVGS = 4.5V 5.4 mRDS(on) Drain t

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.