TMA8N60H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMA8N60H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для TMA8N60H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMA8N60H даташит

 ..1. Size:470K  cn wuxi unigroup
 tma8n60h tmd8n60h tmu8n60h.pdf pdf_icon

TMA8N60H

TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA8N60H TO-

 8.1. Size:538K  cn wuxi unigroup
 tma8n65h tmc8n65h tmd8n65h tmu8n65h.pdf pdf_icon

TMA8N60H

TMA8N65H, TMC8N65H,TMD8N65H, TMU8N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA

Другие IGBT... TMA7N60H, TMC7N60H, TMD7N60H, TMU7N60H, TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H, IRFP450, TMD8N60H, TMU8N60H, TMA8N65H, TMC8N65H, TMD8N65H, TMU8N65H, TMB120N08A, TMP120N08A