Справочник MOSFET. TMD8N60H

 

TMD8N60H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMD8N60H
   Маркировка: D8N60H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для TMD8N60H

 

 

TMD8N60H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:470K  cn wuxi unigroup
tma8n60h tmd8n60h tmu8n60h.pdf

TMD8N60H
TMD8N60H

TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA8N60H TO-

 7.1. Size:472K  trinnotech
tmd8n60az tmu8n60az.pdf

TMD8N60H
TMD8N60H

TMD8N60AZ(G)/TMU8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 8.1. Size:538K  cn wuxi unigroup
tma8n65h tmc8n65h tmd8n65h tmu8n65h.pdf

TMD8N60H
TMD8N60H

TMA8N65H, TMC8N65H,TMD8N65H, TMU8N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA

 9.1. Size:450K  trinnotech
tmd8n25z tmu8n25z.pdf

TMD8N60H
TMD8N60H

TMD8N25Z(G)/TMU8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

 9.2. Size:452K  trinnotech
tmd8n50z tmu8n50z.pdf

TMD8N60H
TMD8N60H

TMD8N50Z(G)/TMU8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top