TMU8N60H - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

TMU8N60H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: TMU8N60H
   Маркировка: U8N60H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 129 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
   Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для TMU8N60H

TMU8N60H Datasheet (PDF)

..1. Size:470K cn wuxi unigroup
tma8n60h tmd8n60h tmu8n60h.pdf

TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA8N60H TO-

7.1. Size:472K trinnotech
tmd8n60az tmu8n60az.pdf

TMD8N60AZ(G)/TMU8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

8.1. Size:538K cn wuxi unigroup
tma8n65h tmc8n65h tmd8n65h tmu8n65h.pdf

TMA8N65H, TMC8N65H,TMD8N65H, TMU8N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA

9.1. Size:450K trinnotech
tmd8n25z tmu8n25z.pdf