TMA8N65H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMA8N65H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для TMA8N65H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMA8N65H даташит

 ..1. Size:538K  cn wuxi unigroup
 tma8n65h tmc8n65h tmd8n65h tmu8n65h.pdf pdf_icon

TMA8N65H

TMA8N65H, TMC8N65H,TMD8N65H, TMU8N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA

 8.1. Size:470K  cn wuxi unigroup
 tma8n60h tmd8n60h tmu8n60h.pdf pdf_icon

TMA8N65H

TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA8N60H TO-

Другие IGBT... TMU7N60H, TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H, TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H, BS170, TMC8N65H, TMD8N65H, TMU8N65H, TMB120N08A, TMP120N08A, TMB140N10A, TMB160N08A, TMP160N08A