TPU60R3K4C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPU60R3K4C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для TPU60R3K4C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPU60R3K4C даташит

 ..1. Size:578K  cn wuxi unigroup
tpa60r3k4c tpp60r3k4c tpu60r3k4c tpd60r3k4c.pdfpdf_icon

TPU60R3K4C

TPA60R3K4C,TPP60R3K4C,TPU60R3K4C,TPD60R3K4C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS D Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) G Power Factor Correction (PFC) S Device Marking and Package Information

 7.1. Size:750K  cn wuxi unigroup
tpp60r350c tpa60r350c tpu60r350c tpd60r350c tpc60r350c tpb60r350c.pdfpdf_icon

TPU60R3K4C

TPP60R350C, TPA60R350C, TPU60R350C, TPD60R350C, TPC60R350C, TPB60R350C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

 8.1. Size:738K  cn wuxi unigroup
tpp60r840c tpa60r840c tpu60r840c tpd60r840c tpc60r840c tpb60r840c.pdfpdf_icon

TPU60R3K4C

TPP60R840C, TPA60R840C, TPU60R840C, TPD60R840C, TPC60R840C, TPB60R840C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

 8.2. Size:537K  cn wuxi unigroup
tpd60r1k4m tpu60r1k4m.pdfpdf_icon

TPU60R3K4C

TPD60R1K4M,TPU60R1K4M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 600V Super-junction Power MOSFET DESCRIPTION 600V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest ro

Другие IGBT... TPC60R240M, TPP60R240M, TPA60R260MFD, TPA60R330M, TPA60R360MFD, TPD60R360MFD, TPA60R3K4C, TPP60R3K4C, EMB04N03H, TPD60R3K4C, TPA60R530M, TPD60R530M, TPU60R530M, TPA60R600MFD, TPD60R600MFD, TPA65R070D, TPB65R070D