TPB70R450C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPB70R450C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для TPB70R450C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPB70R450C даташит

 ..1. Size:768K  cn wuxi unigroup
 tpa70r450c tpb70r450c tpc70r450c tpd70r450c tpp70r450c tpu70r450c.pdf pdf_icon

TPB70R450C

TPA70R450C, TPB70R450C, TPC70R450C, TPD70R450C, TPP70R450C, TPU70R450C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 700V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

 ..2. Size:753K  cn wuxi unigroup
 tpp70r450c tpa70r450c tpu70r450c tpd70r450c tpc70r450c tpb70r450c.pdf pdf_icon

TPB70R450C

TPP70R450C, TPA70R450C, TPU70R450C, TPD70R450C, TPC70R450C, TPB70R450C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 700V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

 8.1. Size:734K  cn wuxi unigroup
 tpb70r950m tpd70r950m.pdf pdf_icon

TPB70R450C

TPB70R950M,TPD70R950M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-junction Power MOSFET Description 700V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest ro

 8.2. Size:1095K  cn wuxi unigroup
 tpa70r600m tpb70r600m tpd70r600m tpr70r600m tpu70r600m.pdf pdf_icon

TPB70R450C

TPA70R600M,TPB70R600M,TPD70R600M,TPR70R600M,TPU70R600M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-junction Power MOSFET Description 700V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conductio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TPP70R190C, TPV70R190C, TPA70R260M, TPA70R360M, TPD70R360M, TPP70R360M, TPU70R360M, TPA70R450C, IRF520, TPC70R450C, TPD70R450C, TPP70R450C, TPU70R450C, TPA70R600M, TPB70R600M, TPD70R600M, TPR70R600M