Справочник MOSFET. TPW80R250A

 

TPW80R250A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TPW80R250A
   Маркировка: 80R250A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 62.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 42.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 217 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для TPW80R250A

 

 

TPW80R250A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  cn wuxi unigroup
tpa80r250a tpp80r250a tpw80r250a.pdf

TPW80R250A
TPW80R250A

TPA80R250A, TPP80R250A, TPW80R250A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) D Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) G Device Marking and Package Information Device Packa

 7.1. Size:683K  cn wuxi unigroup
tpw80r200mfd.pdf

TPW80R250A
TPW80R250A

TPW80R200MFDWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle and pioneered. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely fast and robust body diode. Also provide an extremely low switching,

 8.1. Size:686K  cn wuxi unigroup
tpw80r300mfd.pdf

TPW80R250A
TPW80R250A

TPW80R300MFDWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle and pioneered. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely fast and robust body diode. Also provide an extremely low switching,

 8.2. Size:1210K  cn wuxi unigroup
tpa80r300c tpb80r300c tpp80r300c tpw80r300c.pdf

TPW80R250A
TPW80R250A

TPA80R300C,TPB80R300C,TPP80R300C,TPW80R300CWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd800V Super-junction Power MOSFETDescription800V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losse

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SSM3K12T

 

 
Back to Top