TPD60R330M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPD60R330M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TPD60R330M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPD60R330M даташит

 ..1. Size:402K  cn wuxi unigroup
 tpd60r330m.pdf pdf_icon

TPD60R330M

TPD60R330M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 600V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 600V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighti

 7.1. Size:578K  cn wuxi unigroup
 tpa60r3k4c tpp60r3k4c tpu60r3k4c tpd60r3k4c.pdf pdf_icon

TPD60R330M

TPA60R3K4C,TPP60R3K4C,TPU60R3K4C,TPD60R3K4C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS D Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) G Power Factor Correction (PFC) S Device Marking and Package Information

 7.2. Size:750K  cn wuxi unigroup
 tpp60r350c tpa60r350c tpu60r350c tpd60r350c tpc60r350c tpb60r350c.pdf pdf_icon

TPD60R330M

TPP60R350C, TPA60R350C, TPU60R350C, TPD60R350C, TPC60R350C, TPB60R350C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

 7.3. Size:665K  cn wuxi unigroup
 tpa60r360mfd tpd60r360mfd.pdf pdf_icon

TPD60R330M

TPA60R360MFD,TPD60R360MFD Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 600V Super-junction Power MOSFET Description 600V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle and pioneered. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely fast and robust body diode. Also provide an extremely l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TPP65R135MFD, TPW65R135MFD, TPB70R950M, TPD70R950M, TPD50R3K8D, TPD60R1K4M, TPU60R1K4M, TPD60R1K5MFD, IRF640N, TPD65R700MFD, TPD70R1K5M, TPD80R900M, TPU80R900M, TPG60R070DFDH, TPG65R125MH, TPG65R360M, TPG70R600M