Справочник MOSFET. STU312D

 

STU312D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STU312D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 11 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 24 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
   Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
   Выходная емкость (Cd): 180 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L

 Аналог (замена) для STU312D

 

 

STU312D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  samhop
 stu312d.pdf

STU312D STU312D

GreenProductS TU312DS amHop Microelectronics C orp.Oct 08 2008Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PPR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel)VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max24 @ VG S = 10V 34 @ VG S = -10V-30V -14A30V 18A36 @ VG S = 4.5V 54 @ VG S = -4.5VD1 D2D1/D2G 1G 2S 1G1

 9.1. Size:243K  samhop
 stu313d.pdf

STU312D STU312D

STU313DaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID24 @ VGS=10V 33 @ VGS=-10V30V 16A-30V -15A35 @ VGS=4.5V 52 @ VGS=-4.5VD1 D2D1/D2G 1G 2S 1G1S 2G2 S 1 N-ch S 2 P-chTO-252-4L(TC=25C unless

 9.2. Size:291K  samhop
 stu310dh.pdf

STU312D STU312D

STU310DHSamHop Microelectronics Corp.May,28,2007Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( NandP Channel)(N-C hannel) (PPRODUCT S UMMARY PRODUC T S UMMARY -C hannel)VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m W ) MaxW20 @ VGS =10V 30 @ VGS =-10V-30V -15A30V 19A28 @ VGS =4.5V 44 @ VGS =-4.5VD1 D2D1/D2G 1G 2S1G1S2S 1 N-ch S 2 P-chG2TO-252-4L

 9.3. Size:266K  samhop
 stu314d.pdf

STU312D STU312D

GreenProductSTU314DaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID28 @ VGS=10V 34 @ VGS=-10V30V 16A-30V -14A40 @ VGS=4.5V 55 @ VGS=-4.5VD1 D2D1/D2G 1G 2S 1G1S 2G2 S 1 N-ch S 2 P-chTO-252-4L(

Другие MOSFET... FDB390N15A , FDB44N25 , FDB52N20 , STU417L , FDB5800 , FDB8132F085 , STU326S , FDB8160F085 , NCEP8818AS , FDB8441 , FDB8441F085 , FDB8442 , FDB8442F085 , FDB8443 , FDB8443F085 , FDB8444 , FDB8444F085 .

 

 
Back to Top