TPV80R300C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPV80R300C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для TPV80R300C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPV80R300C даташит

 ..1. Size:663K  cn wuxi unigroup
tpp80r300c tpa80r300c tpv80r300c tpc80r300c tpb80r300c.pdfpdf_icon

TPV80R300C

TPP80R300C, TPA80R300C, TPV80R300C, TPC80R300C, TPB80R300C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Informatio

Другие IGBT... TPB65R940C, TPP70R950C, TPA70R950C, TPU70R950C, TPD70R950C, TPC70R950C, TPB70R950C, TPP80R270M, 7N60, TPC80R300C, TPP90R350A, TPA90R350A, TPR60R120MFD, TPW60R120MFD, TPV60R080CFD, TPW60R080CFD, TPV65R080C