TPV80R300C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TPV80R300C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для TPV80R300C
TPV80R300C Datasheet (PDF)
tpp80r300c tpa80r300c tpv80r300c tpc80r300c tpb80r300c.pdf

TPP80R300C, TPA80R300C, TPV80R300C, TPC80R300C, TPB80R300C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Informatio
Другие MOSFET... TPB65R940C , TPP70R950C , TPA70R950C , TPU70R950C , TPD70R950C , TPC70R950C , TPB70R950C , TPP80R270M , MMIS60R580P , TPC80R300C , TPP90R350A , TPA90R350A , TPR60R120MFD , TPW60R120MFD , TPV60R080CFD , TPW60R080CFD , TPV65R080C .
History: NCE65T2K4I | TPA65R090M | AM2301PE | IPP80N04S4-03 | TPD60R1K4M | SM6F01NSFP | IXTU1R4N60P
History: NCE65T2K4I | TPA65R090M | AM2301PE | IPP80N04S4-03 | TPD60R1K4M | SM6F01NSFP | IXTU1R4N60P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor