TPV60R080CFD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TPV60R080CFD
Маркировка: 60R080CFD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 390 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 47 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 225 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для TPV60R080CFD
TPV60R080CFD Datasheet (PDF)
tpv60r080cfd tpw60r080cfd.pdf
TPV60R080CFD, TPW60R080CFD Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant Fast Body Diode APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device
tpa60r160m tpp60r160m tpv60r160m tpw60r160m.pdf
TPA60R160M, TPP60R160M, TPV60R160M, TPW60R160M WuxiUnigroupMicroelectronicsCompany600V Super-Junction Power MOSFETFEATURESlVerylowFOMRDS(on)Qgl100%avalanchetestedlRoHScompliantAPPLICATIONSlSwitchModePowerSupply(SMPS)lUninterruptiblePowerSupply(UPS)lPowerFactorCorrection(PFC)Device Marking and Package InformationDevic
tpp60r150c tpa60r150c tpv60r150c tpc60r150c.pdf
TPP60R150C, TPA60R150C, TPV60R150C, TPC60R150C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on)Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device P
tpv6030r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TPV6030/DThe RF LineNPN SiliconTPV6030RF Power TransistorThe TPV6030 is designed for driver stages in band IV and V TV transmitteramplifiers. It incorporates high value emitter ballast resistors, gold metalliza-tions and offers a high degree of reliability and ruggedness.Including double input and output matching ne
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
