TPW65R090M - аналоги и даташиты транзистора

 

TPW65R090M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TPW65R090M
   Маркировка: 65R090M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 391 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 109 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для TPW65R090M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPW65R090M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  cn wuxi unigroup
 tpw65r090m.pdf pdf_icon

TPW65R090M

TPW65R090M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 650V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighti

 7.1. Size:452K  cn wuxi unigroup
 tpw65r040m.pdf pdf_icon

TPW65R090M

TPW65R040M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 650V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighti

 7.2. Size:773K  cn wuxi unigroup
 tpa65r070d tpb65r070d tpp65r070d tpw65r070d.pdf pdf_icon

TPW65R090M

TPA65R070D,TPB65R070D,TPP65R070D,TPW65R070D Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd650V Super-junction Power MOSFETDescription650V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losse

 7.3. Size:452K  cn wuxi unigroup
 tpw65r044mfd.pdf pdf_icon

TPW65R090M

TPW65R044MFD Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-Junction Power MOSFET DESCRIPTION 650V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The SJ MOSFET is a price-performance optimized product enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Ligh

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TPW60R080CFD , TPV65R080C , TPW65R080C , TPW60R040MFD , TPW60R080M , TPW60R090MFD , TPW65R040M , TPW65R044MFD , 5N50 , TPW65R190MFD , TPW70R100MFD , TPW80R200MFD , TPW80R300MFD , TPY70R1K5MB , TSB15N06A , TSB15N10A , TSD10N06AT .

History: CTD06N017 | OSG80R380PF | YJS4606A | TPA65R380D | LNH08R085 | R6530ENZ1

 

 
Back to Top

 


 
.