Справочник MOSFET. TSJ10N10AT

 

TSJ10N10AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSJ10N10AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для TSJ10N10AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSJ10N10AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  cn wuxi unigroup
 tsj10n10at.pdf pdf_icon

TSJ10N10AT

TSJ10N10AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device P

 8.1. Size:570K  cn wuxi unigroup
 tsj10n06at.pdf pdf_icon

TSJ10N10AT

TSJ10N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pa

 9.1. Size:304K  st
 stsj100nhs3ll.pdf pdf_icon

TSJ10N10AT

STSJ100NHS3LLN-channel 30V - 0.0032 - 20A - PowerSO-8STripFETIII Power MOSFET plus monolithic schottkyGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTSJ100NHS3LL 30V 0.0042 20A(1)1. This value is rated accordingly to Rthj-pcb Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5V Reduced switching losses Reduced conduction lossesPowerSO-8 Improved junction-case thermal resist

 9.2. Size:457K  st
 stsj100nh3ll.pdf pdf_icon

TSJ10N10AT

STSJ100NH3LLN-CHANNEL 30 V - 0.0032 - 25 A PowerSO-8STripFET III MOSFET FOR DC-DC CONVERSIONTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID STSJ100NH3LL 30V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TSP120N10AT , TSG120N10AT , TSD12N06AT , TSG017N045AT , TSG10N06AT , TSG12N06AT , TSG12N10AT , TSJ10N06AT , 10N60 , TSP15N06A , TSP15N10A , TTB105N06A , TTP105N06A , TTB105N08A , TTP105N08A , TTB115N08A , TTP115N08A .

 

 
Back to Top

 


 
.