TTB115N08AA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTB115N08AA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для TTB115N08AA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTB115N08AA даташит

 ..1. Size:811K  cn wuxi unigroup
 ttb115n08aa ttp115n08aa.pdf pdf_icon

TTB115N08AA

TTB115N08AA,TTP115N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 115A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 4.1. Size:445K  cn wuxi unigroup
 ttb115n08a ttp115n08a.pdf pdf_icon

TTB115N08AA

TTB115N08A,TTP115N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:790K  cn wuxi unigroup
 ttb118n08a ttp118n08a.pdf pdf_icon

TTB115N08AA

TTB118N08A,TTP118N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 82V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 82V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 118A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие IGBT... TSP15N06A, TSP15N10A, TTB105N06A, TTP105N06A, TTB105N08A, TTP105N08A, TTB115N08A, TTP115N08A, 8205A, TTP115N08AA, TTB118N08A, TTP118N08A, TTB135N68A, TTP135N68A, TTB145N06A, TTP145N06A, TTB145N08A