Справочник MOSFET. TTB115N08AA

 

TTB115N08AA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TTB115N08AA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 112 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 302 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для TTB115N08AA

 

 

TTB115N08AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:811K  cn wuxi unigroup
 ttb115n08aa ttp115n08aa.pdf

TTB115N08AA TTB115N08AA

TTB115N08AA,TTP115N08AA Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 115A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 4.1. Size:445K  cn wuxi unigroup
 ttb115n08a ttp115n08a.pdf

TTB115N08AA TTB115N08AA

TTB115N08A,TTP115N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:790K  cn wuxi unigroup
 ttb118n08a ttp118n08a.pdf

TTB115N08AA TTB115N08AA

TTB118N08A,TTP118N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 82V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 82V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 118A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top