TTP145N06A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTP145N06A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 217 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 481 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TTP145N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTP145N06A даташит

 ..1. Size:826K  cn wuxi unigroup
 ttb145n06a ttp145n06a.pdf pdf_icon

TTP145N06A

TTB145N06A,TTP145N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 145A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 6.1. Size:362K  cn wuxi unigroup
 ttb145n08a ttp145n08a.pdf pdf_icon

TTP145N06A

Другие IGBT... TTP115N08A, TTB115N08AA, TTP115N08AA, TTB118N08A, TTP118N08A, TTB135N68A, TTP135N68A, TTB145N06A, STP75NF75, TTB145N08A, TTP145N08A, TTB30P10AT, TTD30P10AT, TTP30P10AT, TTB85N08A, TTP85N08A, TTB85N08AA