TTP100N04AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTP100N04AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 356 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TTP100N04AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTP100N04AT даташит

 ..1. Size:448K  cn wuxi unigroup
 ttd100n04at ttp100n04at.pdf pdf_icon

TTP100N04AT

TTD100N04AT, TTP100N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and

 ..2. Size:636K  cn wuxi unigroup
 ttp100n04at.pdf pdf_icon

TTP100N04AT

TTP100N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 40V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 40V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 9.1. Size:653K  cn wuxi unigroup
 ttb105n06a ttp105n06a.pdf pdf_icon

TTP100N04AT

TTB105N06A,TTP105N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)

 9.2. Size:750K  cn wuxi unigroup
 ttb105n08a ttp105n08a.pdf pdf_icon

TTP100N04AT

TTB105N08A,TTP105N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 85V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TTB85N08A, TTP85N08A, TTB85N08AA, TTP85N08AA, TTB95N68A, TTD95N68A, TTP95N68A, TTD100N04AT, 12N60, TTD120N03AT, TTP120N03AT, TTD120N04AT, TTP120N04AT, TTD135N68A, TTD160N03GT, TTP160N03GT, TTD18P10AT