TTD120N04AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTD120N04AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 587 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TTD120N04AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTD120N04AT даташит

 ..1. Size:450K  cn wuxi unigroup
 ttd120n04at ttp120n04at.pdf pdf_icon

TTD120N04AT

TTD120N04AT, TTP120N04AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 40V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and

 6.1. Size:449K  cn wuxi unigroup
 ttd120n03at ttp120n03at.pdf pdf_icon

TTD120N04AT

TTD120N03AT, TTP120N03AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 30V N-Channel Trench MOSFET FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching Applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package

Другие IGBT... TTP85N08AA, TTB95N68A, TTD95N68A, TTP95N68A, TTD100N04AT, TTP100N04AT, TTD120N03AT, TTP120N03AT, IRFB3607, TTP120N04AT, TTD135N68A, TTD160N03GT, TTP160N03GT, TTD18P10AT, TTP18P10AT, TTD20N04AT, TTD30P03AT