STU313D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: STU313D 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: TO252-4L
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для STU313D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STU313D даташит
stu313d.pdf
STU313D a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID VDSS ID 24 @ VGS=10V 33 @ VGS=-10V 30V 16A -30V -15A 35 @ VGS=4.5V 52 @ VGS=-4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1 S 2 G2 S 1 N-ch S 2 P-ch TO-252-4L (TC=25 C unless
stu312d.pdf
Green Product S TU312D S amHop Microelectronics C orp. Oct 08 2008 Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P PR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max 24 @ VG S = 10V 34 @ VG S = -10V -30V -14A 30V 18A 36 @ VG S = 4.5V 54 @ VG S = -4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1
stu310dh.pdf
STU310DH SamHop Microelectronics Corp. May,28,2007 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( NandP Channel) (N-C hannel) (P PRODUCT S UMMARY PRODUC T S UMMARY -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m W ) Max W 20 @ VGS =10V 30 @ VGS =-10V -30V -15A 30V 19A 28 @ VGS =4.5V 44 @ VGS =-4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S1 G1 S2 S 1 N-ch S 2 P-ch G2 TO-252-4L
stu314d.pdf
Green Product STU314D a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID VDSS ID 28 @ VGS=10V 34 @ VGS=-10V 30V 16A -30V -14A 40 @ VGS=4.5V 55 @ VGS=-4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1 S 2 G2 S 1 N-ch S 2 P-ch TO-252-4L (
Другие IGBT... FDB8443F085, FDB8444, FDB8444F085, FDB8445, FDB8445F085, FDB8447L, FDB8453LZ, FDB8832, IRF730, FDB8832F085, STU314D, FDB8860, STU320S, FDB8860F085, STU310DH, FDB8870, STU30N15
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: CS3N65P | SST70R600S2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor




