TTX2305A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TTX2305A
Маркировка: 2305A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.66 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.95 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.2 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 128 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: SOT23
TTX2305A Datasheet (PDF)
ttx2305a.pdf
TTX2305A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS -20V Trench Power technology ID (at VGS =-10V) -4.5A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS =-10V)
ttx2302a.pdf
TTX2302A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS 20V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 3.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V)
ttx2301a.pdf
TTX2301A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 20V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary) General Description Product Summary Trench Power technology VDS -20V Low RDS(ON) ID (at VGS =-4.5V) -2.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =-10V)
ttx2302.pdf
TTX2302Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company20V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized For Fast-switching ApplicationsAPPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and IndustrialDevice Marking a
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
