Справочник MOSFET. VBE1102N

 

VBE1102N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBE1102N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE1102N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE1102N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:526K  cn vbsemi
 vbe1102n.pdf pdf_icon

VBE1102N

VBE1102Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0185 at VGS = 10 V 100 60 38 nCAPPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC ConverterTO-252D G S G D STop View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless o

 8.1. Size:827K  cn vbsemi
 vbe1101m.pdf pdf_icon

VBE1102N

VBE1101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATING

 8.2. Size:979K  cn vbsemi
 vbe1101n.pdf pdf_icon

VBE1102N

VBE1101Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 100 % Rg Tested0.0075 at VGS = 10 V85100 100 % UIS Tested0.0095 at VGS = 4.5 V75APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC ConverterTO-252 D G G D S S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 8.3. Size:1248K  cn vbsemi
 vbe1104n.pdf pdf_icon

VBE1102N

VBE1104Nwww.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V40RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V37COMPLIANTDTO-252GG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBC6N2014 , VBC6N2022 , VBC6N3010 , VBC6P3033 , VBC7P2216 , VBC8338 , VBE1101M , VBE1101N , 2N7002 , VBE1104N , VBE1105 , VBE1106N , VBE1158N , VBE1201K , VBE1202 , VBE1203M , VBE1206 .

History: PM5C3BA | 1N65G-TM3-T | IXFH20N50P3 | OSG65R099FF | LSB60R030HT | LNH4N60 | CSD16323Q3

 

 
Back to Top

 


 
.