VBE1102N - описание и поиск аналогов

 

VBE1102N - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBE1102N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE1102N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE1102N технические параметры

 ..1. Size:526K  cn vbsemi
 vbe1102n.pdf pdf_icon

VBE1102N

VBE1102N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0185 at VGS = 10 V 100 60 38 nC APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC Converter TO-252 D G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless o

 8.1. Size:827K  cn vbsemi
 vbe1101m.pdf pdf_icon

VBE1102N

VBE1101M www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 0.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 8.2. Size:979K  cn vbsemi
 vbe1101n.pdf pdf_icon

VBE1102N

VBE1101N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 100 % Rg Tested 0.0075 at VGS = 10 V 85 100 100 % UIS Tested 0.0095 at VGS = 4.5 V 75 APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC Converter TO-252 D G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 8.3. Size:1248K  cn vbsemi
 vbe1104n.pdf pdf_icon

VBE1102N

VBE1104N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.030 at VGS = 10 V 40 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 37 COMPLIANT D TO-252 G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBC6N2014 , VBC6N2022 , VBC6N3010 , VBC6P3033 , VBC7P2216 , VBC8338 , VBE1101M , VBE1101N , MMIS60R580P , VBE1104N , VBE1105 , VBE1106N , VBE1158N , VBE1201K , VBE1202 , VBE1203M , VBE1206 .

 

 
Back to Top

 


 
.