VBE1106N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBE1106N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBE1106N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE1106N даташит

 ..1. Size:908K  cn vbsemi
 vbe1106n.pdf pdf_icon

VBE1106N

VBE1106N www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100 % UIS tested 0.055 at VGS = 10 V 25 0.057 at VGS = 4.5 V 100 25 21nC 0.070 at VGS = 2.5 V 18 APPLICATIONS Primary side switch D TO-252 G G D S S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unle

 8.1. Size:827K  cn vbsemi
 vbe1101m.pdf pdf_icon

VBE1106N

VBE1101M www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 0.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 8.2. Size:979K  cn vbsemi
 vbe1101n.pdf pdf_icon

VBE1106N

VBE1101N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 100 % Rg Tested 0.0075 at VGS = 10 V 85 100 100 % UIS Tested 0.0095 at VGS = 4.5 V 75 APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC Converter TO-252 D G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 8.3. Size:1248K  cn vbsemi
 vbe1104n.pdf pdf_icon

VBE1106N

VBE1104N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.030 at VGS = 10 V 40 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 37 COMPLIANT D TO-252 G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBC6P3033, VBC7P2216, VBC8338, VBE1101M, VBE1101N, VBE1102N, VBE1104N, VBE1105, IRF9640, VBE1158N, VBE1201K, VBE1202, VBE1203M, VBE1206, VBE1206N, VBE1302, VBE1303