VBE1202 - описание и поиск аналогов

 

VBE1202 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBE1202
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1725 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE1202

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE1202 технические параметры

 ..1. Size:534K  cn vbsemi
 vbe1202.pdf pdf_icon

VBE1202

VBE1202 www.VBsemi.com N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0025 at VGS = 4.5 V 120 20 92 nC 0.0035 at VGS = 2.5 V 100 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET

 8.1. Size:447K  cn vbsemi
 vbe1206.pdf pdf_icon

VBE1202

VBE1206 www.VBsemi.com N-Channel 20-V (D-S)175 _C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A)a D 175_C Maximum Junction Temperature D 100% Rg Tested 0.006 @ VGS = 4.5 V 65 20 20 0.008 @ VGS = 2.5 V 45 D TO-252 G Drain Connected to Tab G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Param

 8.2. Size:514K  cn vbsemi
 vbe1203m.pdf pdf_icon

VBE1202

VBE1203M www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 200 0.245 at VGS = 10 V 10 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 8.3. Size:582K  cn vbsemi
 vbe1206n.pdf pdf_icon

VBE1202

VBE1206N www.VBsemi.com N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 200 0.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBE1101M , VBE1101N , VBE1102N , VBE1104N , VBE1105 , VBE1106N , VBE1158N , VBE1201K , IRF730 , VBE1203M , VBE1206 , VBE1206N , VBE1302 , VBE1303 , VBE1307 , VBE1310 , VBE1405 .

 

 
Back to Top

 


 
.