VBE1303 - описание и поиск аналогов

 

VBE1303 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VBE1303
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1525 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для VBE1303

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE1303 технические параметры

 ..1. Size:379K  cn vbsemi
 vbe1303.pdf pdf_icon

VBE1303

VBE1303 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.002 at VGS = 10 V 100 30 72 nC 0.003 at VGS = 4.5 V 90 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSO

 8.1. Size:507K  cn vbsemi
 vbe1307.pdf pdf_icon

VBE1303

VBE1307 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.005 at VGS = 10 V 80 30 31 nC 0.006 at VGS = 4.5 V 68 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLU

 8.2. Size:630K  cn vbsemi
 vbe1302.pdf pdf_icon

VBE1303

VBE1302 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0023 at VGS = 10 V 120 30 82 nC 0.0032 at VGS = 4.5 V 100 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET A

 9.1. Size:1079K  cn vbsemi
 vbe1310.pdf pdf_icon

VBE1303

VBE1310 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 50 30 25 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VBE1106N , VBE1158N , VBE1201K , VBE1202 , VBE1203M , VBE1206 , VBE1206N , VBE1302 , 20N60 , VBE1307 , VBE1310 , VBE1405 , VBE1410 , VBE1606 , VBE1615 , VBE1638 , VBE165R02 .

 

 
Back to Top

 


 
.