VBE1307 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBE1307  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 typ Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBE1307

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBE1307 даташит

 ..1. Size:507K  cn vbsemi
 vbe1307.pdf pdf_icon

VBE1307

VBE1307 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.005 at VGS = 10 V 80 30 31 nC 0.006 at VGS = 4.5 V 68 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLU

 8.1. Size:379K  cn vbsemi
 vbe1303.pdf pdf_icon

VBE1307

VBE1303 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.002 at VGS = 10 V 100 30 72 nC 0.003 at VGS = 4.5 V 90 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSO

 8.2. Size:630K  cn vbsemi
 vbe1302.pdf pdf_icon

VBE1307

VBE1302 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.0023 at VGS = 10 V 120 30 82 nC 0.0032 at VGS = 4.5 V 100 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET A

 9.1. Size:1079K  cn vbsemi
 vbe1310.pdf pdf_icon

VBE1307

VBE1310 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.007 at VGS = 10 V 50 30 25 nC 0.009 at VGS = 4.5 V 40 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBE1158N, VBE1201K, VBE1202, VBE1203M, VBE1206, VBE1206N, VBE1302, VBE1303, IRF1404, VBE1310, VBE1405, VBE1410, VBE1606, VBE1615, VBE1638, VBE165R02, VBE165R04