VBE2305 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: VBE2305 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1565 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 typ Ohm
Тип корпуса: TO252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для VBE2305
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
VBE2305 даташит
vbe2305.pdf
VBE2305 www.VBsemi.com P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Available 0.005 at VGS = - 10 V -100 RoHS* - 30 COMPLIANT 0.007 at VGS = - 4.5 V -90 S TO-252 G D G S D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Gate
vbe2309.pdf
VBE2309 www.VBsemi.com P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Available 0.009 at VGS = - 10 V 80 RoHS* - 30 COMPLIANT 0.012 at VGS = - 4.5 V 80 S TO-252 G D G S D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit G
vbe2338.pdf
VBE2338 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.033 at VGS = - 10 V - 26 100 % Rg Tested RoHS - 30 19 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.046 at VGS = - 4.5 V - 21 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch S TO-252 G G D S D Top View P-Ch
vbe2317.pdf
VBE2317 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.024 at VGS = - 4.5 V - 35 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S TO-252 G D G D S P-Channel MOSFET AB
Другие IGBT... VBE1638, VBE165R02, VBE165R04, VBE1695, VBE1806, VBE2102M, VBFB2102M, VBE2104N, IRF3710, VBE2309, VBE2311, VBE2317, VBE2338, VBE2412, VBE2509, VBE2610N, VBE2625
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: VBE165R02 | HM80N03 | VBE1695 | AGM03N85H | JMH65R190PFFD | NTP85N03 | HM8N25K
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775





