Справочник MOSFET. VBE2338

 

VBE2338 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VBE2338
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для VBE2338

 

 

VBE2338 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:575K  cn vbsemi
 vbe2338.pdf

VBE2338 VBE2338

VBE2338www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.033 at VGS = - 10 V - 26 100 % Rg TestedRoHS- 30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.046 at VGS = - 4.5 V - 21APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSTO-252GG D SDTop ViewP-Ch

 9.1. Size:565K  cn vbsemi
 vbe2305.pdf

VBE2338 VBE2338

VBE2305www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.005 at VGS = - 10 V -100RoHS*- 30COMPLIANT0.007 at VGS = - 4.5 V -90STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitGate

 9.2. Size:461K  cn vbsemi
 vbe2317.pdf

VBE2338 VBE2338

VBE2317www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 35APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchSTO-252 GDG D S P-Channel MOSFETAB

 9.3. Size:421K  cn vbsemi
 vbe2309.pdf

VBE2338 VBE2338

VBE2309www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.009 at VGS = - 10 V 80RoHS*- 30COMPLIANT0.012 at VGS = - 4.5 V 80STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitG

 9.4. Size:466K  cn vbsemi
 vbe2311.pdf

VBE2338 VBE2338

VBE2311www.VBsemi.comP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECVDS (V) RDS(on) ()ID (A)aAvailable0.011 at VGS = - 10 V 50RoHS*- 30COMPLIANT0.013 at VGS = - 4.5 V 45STO-252GDG SDTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitGat

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top