STU30N01 - описание и поиск аналогов

 

STU30N01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU30N01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

Аналог (замена) для STU30N01

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU30N01 даташит

 ..1. Size:141K  samhop
stu30n01 std30n01.pdfpdf_icon

STU30N01

STU30N01 Green Product STD30N01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 30A 30 @ VGS=10V 100V TO-252 and TO-251 Package. G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I - PAK A

 8.1. Size:146K  samhop
stu30n15 std30n15.pdfpdf_icon

STU30N01

Green Product STU/D30N15 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 22A 150V 62 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. G S STU SERIES STD SERIES TO-252AA (D-PAK) TO-251 (I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 9.1. Size:195K  samhop
stu309dh.pdfpdf_icon

STU30N01

Green Product S TU309DH S amHop Microelectronics C orp. Apr 20 2007 Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P PR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max 22 @ VG S = 10V 34 @ VG S = -10V -30V -14A 30V 18A 34 @ VG S = 4.5V 54 @ VG S = -4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1

 9.2. Size:174K  samhop
stu309d.pdfpdf_icon

STU30N01

S TU309D S amHop Microelectronics C orp. Nov 22 2006 Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P PR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max 23 @ VG S = 10V 35 @ VG S = -10V -30V -14A 30V 18A 35 @ VG S = 4.5V 55 @ VG S = -4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S 1 G1 S 2 S 1 N-ch S

Другие MOSFET... STU314D , FDB8860 , STU320S , FDB8860F085 , STU310DH , FDB8870 , STU30N15 , FDB8870F085 , IRF9640 , FDB8880 , STU30L01A , FDB8896 , STU30L01 , FDB8896F085 , STU309DH , FDC2512 , FDC2612 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.