VBL2610N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBL2610N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.5 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 210 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.064(typ) Ohm
Тип корпуса: TO263
VBL2610N Datasheet (PDF)
vbl2610n.pdf
VBL2610Nwww.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.064 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60120.077 at VGS = - 4.5 V - 28 Load SwitchSD2PAK(TO-263)GGDSDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter S
vbl2625.pdf
VBL2625www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.0195 at VGS = - 10 V - 53APPLICATIONS- 60 76 nC0.0250 at VGS = - 4.5 V - 42 Load SwitchSD2PAK (TO-263)GDGDSP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Par
vbl2658.pdf
VBL2658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.048at VGS = - 10 V- 35- 60 60 100 % Rg and UIS Tested0.060at VGS = - 4.5 V - 30 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Power Switch Load
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
