VBM1102N - описание и поиск аналогов

 

VBM1102N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBM1102N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 355 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 typ Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для VBM1102N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM1102N даташит

 ..1. Size:469K  cn vbsemi
vbm1102n.pdfpdf_icon

VBM1102N

VBM1102N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.018 at VGS = 10 V 100 70a COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters TO-220AB D G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE M

 8.1. Size:1080K  cn vbsemi
vbm1101n vbl1101n.pdfpdf_icon

VBM1102N

VBM1101N/VBL1101N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.0085 at VGS = 10 V 100 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 85 0.0100 at VGS = 6 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S Top View N-Ch

 8.2. Size:946K  cn vbsemi
vbm1101m.pdfpdf_icon

VBM1102N

VBM1101M www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.092 at VGS = 10 V 100 18 COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters TO-220AB D G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MA

 8.3. Size:1417K  cn vbsemi
vbm1104n.pdfpdf_icon

VBM1102N

VBM1104N www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.032 at VGS = 10 V 45 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 40 COMPLIANT D TO-220AB G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, u

Другие MOSFET... VBL165R18 , VBL1806 , VBL2309 , VBL2610N , VBL2625 , VBL2658 , VBM1101M , VBM1101N , RU7088R , VBM1104N , VBM1105 , VBM1151N , VBM1158N , VBM1201K , VBM1201M , VBM1202M , VBM1203M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.